Описание:

Атомно-слоевое осаждение - это тонкопленочная технология нанесения атомных слоев с прецизионной точностью для получения поверхностей превосходной конформности с высоким аспектным соотношением и беспористыми слоями. Результат достигается посредством последовательного формирования атомных слоев в условиях самоограничивающейся реакции.

Атомно-слоевое осаждение широко применяется в полупроводниковой промышленности при нанесении диэлектрических пленок с высокой проницаемостью для структур CMOS, устройств памяти, микроэлектромеханических систем (MEMS) и датчиков.

Системы атомно-слоевого осаждения используется для создания защитных и функциональных покрытий топливных элементов и для других применений, где требуется защита от коррозии и износостойкости. Они также используются для покрытия структур с высоким аспектным соотношением, таких как нанопровода и нанотрубки для разработки устройств следующего поколения.

• Оксиды: Al2O3, TiO2, SnO, HfO2, ZnO, Fe2O3
• Нитриды: TiN, TaN, WN
• Металлы: Cu, Ru, Ir, W и другие.

Под управлением CVDWinPrC™

Системы, работающие под управлением программного обеспечения CVDWinPrC™, автоматически регистрируют данные и графически отображают зависящие от времени значения, согласно выбранным пользователем параметрам. CVDWinPrC™ также предоставляет пользователям возможность загружать предварительно запрограммированные наборы команд, изменять, проверять и создавать новые наборы, и просматривать текущие или сохраненные данные технологического процесса.

Протоколы безопасности

Системы оснащены протоколами безопасности, сконфигурированными в соответствии с приложением, которые встроены в релейно-контактную логическую схему, программируемый логический контроллер и программное обеспечение CVDWinPrC™.