Установка Applied Producer eHARP (улучшенный технологический процесс для высокого соотношения сторон) позволяет создавать новую неплазменную оксидную пленку, базирующуюся на технологии химического осаждения из паровой среды (CVD), которая учитывает требования по заполнению зазора для узкощелевой изоляции (STI) для компонентов 4-нм и выше.

Пленки eHARP усовершенствуют свойства для заполнения зазоров пленок первого поколения HARP путем применения водяного пара в химическом составе тетраэтилортосиликат / озон во время процесса осаждения. Это позволяет создавать более плотную пленку, которая позволяет без швов, без образования пустоты заполнить зазоры элементов с отношением ширины к длине > 12: 1. eHARP апробирована для заполнения зазоров 32-нм логики и для 4-нм устройствах с вертикальными профилями и имеющими структуру комплексных 3D-изолируемых участков элементов. eHARP ‒ это первое решение химического осаждения из паровой среды (CVD), подходящее для заполнения узкощелевой изоляции (STI) для 4-нм.

Процессы eHARP, основанные на применении тетраэтилортосиликата / озона, также повышают эффективность транзисторов с минимальной сложностью интеграции или стоимости за счет осаждения пленок, вызывающих деформацию, которые могут значительно увеличить управляющий ток транзистора в логических устройствах и время хранения в устройствах памяти. Applied eHARP основывается на проверенной в производственных условиях, высокопроизводительной платформе Producer, которая может обрабатывать одновременно до шести пластин в трех камерах Twin®.