Установка для химического осаждения из паровой среды вольфрама Endura Volta CVDW использует инновационные технически усовершенствованные камеры Volta, разработанные компанией Applied, и опыт в области химического осаждения из паровой среды для снижения сопротивления устройств (низкоуровневых межсоединений), и позволяет расширить применение вольфрама для заполнения зазора для 10-нм. Volta CVDW, впервые в отрасли, позволяет создавать металлоорганическую пленку с помощью химического осаждения из паровой среды вольфрама, способную заменить барьер нитрида титана (TiN) и слоя образования центров кристаллизации из вольфрама в контактах логических схем. При этом увеличивается объем для заполнения вольфрама для создания более электрически надежных устройств, так как критические размеры продолжают уменьшаться.

Вольфрам широко используется в качестве материала с низким удельным сопротивлением для изготовления контактов в логических схемах, устройств и в качестве металлического заполнителя контактной площадки транзистора. Контакты и локальные межсоединения образуют критически важные токопроводы между транзисторами и остальной частью схемы. Следовательно, их низкое удельное сопротивление имеет решающее значение для надежной и бесперебойной работы устройства. Поскольку постоянное уменьшение размеров компонентов имеет место быть, размеры межсоединенийтакже уменьшились до такой степени, что их контактное сопротивление становится препятствием для реализации оптимальных характеристик транзистора.

По мере уменьшения сечения межсоединения, бόльшая доля его объема занята металлическим барьером и слоями образования центров кристаллизации, тем самым, оставляя меньше объема для проводящего металлического слоя. Кроме того, сопротивление контакта ухудшается с каждой дополнительной металлической границей в месте соединения. Установка Volta CVD W позволяет снизить влияние этих неблагоприятных эффектов с помощью аппаратных улучшений в камере, что позволяет осаждать W-углеродную пленку с использованием специализированного химического состава. Этот уникальный материал может использоваться в качестве как поверхностного, так и зародышевого слоя. Он прочно соединяется с диэлектриками и предотвращает диффузию фтора в ходе последующего процесса объемного осаждения. Его удельное сопротивление более чем на 70% ниже, чем у стандартных поверхностных материалов (например, TiN). Поскольку пленка, прежде всего состоит из вольфрама, она работает как подложка для образования центров кристаллизации для объемной массы W. Таким образом, общая толщина поверхностных пленок становится меньше и увеличивается объем, доступный для заполнения вольфрамом с низким удельным сопротивлением.

Пленки, созданные с помощью установки Volta CVD W обладают сниженным до 90% контактным сопротивлением, в зависимости от критических размеров и последовательности технологических операций. Таким образом, использование данной установки способствует уменьшению сопротивления в межсоединениях, улучшает общую производительность и эффективность устройстваи возможности использования вольфрамав устройствах следующего поколения. Получение более низкого сопротивления позволяет производить более интенсивную пропорциональную миниатюризацию отдельных элементов, что обеспечит более высокую плотность упаковки прибора.