В современных устройствах скорость передачи данных из структур DRAM становится фактором, ограничивающим производительность системы. Для её увеличения требуются более быстрые периферийные затворы и контакты.  Установка PVD Endura Versa XLRW позволяет использовать электроды затвора памяти с наименьшим удельным сопротивлением за счёт возможности осаждения плёнок вольфрама с низким удельным сопротивлением.

Вольфрам можно использовать для изготовления комплекта затворов в 3D-архитектурах устройств без изменения технологических потоков или схем интеграции за счёт большей гибкости схемы. Кроме того, удвоение срока службы технологического комплекта по сравнению с предыдущей технологией физического осаждения вольфрама из паровой фазы приводит к снижению стоимости расходных материалов на пластину на 10%.