Описание:

• использование в качестве многофункциональной установки вакуумного осаждения с различными источниками для проведения исследовательских процессов;
• использование для магнетронного осаждения многокомпонентных материалов из 2-3 магнетронов одновременно;
• установка оптимально сконфигурирована для осаждения новых материалов и сплавов с контролем зоны роста.

Установка STE MS105 специально разработана для проведения процессов осаждения покрытий в вакууме методом магнетронного распыления. Благодаря гибкой конфигурации и специально разработанной конструкции нагревателя установка STE MS105 позволяет проводить процессы напыления плёнок металлов, магнитных материалов и многокомпонентных оксидов при температуре на подложке до 900оС, используя магнетронные мишени в качестве источников материалов.

Особенности конструкции

Установка выполнена в виде отдельно стоящей системы с вынесенным насосом предварительной откачки.
Конструкция установки позволяет произвести монтаж через стену чистого помещения, при этом в чистой комнате располагается интерфейсный модуль системы и шлюз загрузки/выгрузки держателей образцов.

Доступны следующие версии манипулятора держателя образца:

• размер подложки– 150 мм;
• вращение подложкодержателя со скоростью до 0-50 об/мин в процессе напыления;
• револьверное вращение с определением места позиции под конкретный источник материала (опция);
• вращение подложкодержателя с нагревом до 900оС в коррозионно-стойком исполнении;
• механическая передача образца посредством манипулятора шлюза (опция);

Возможна подача следующих видов смещения на обрабатываемые образцы:

• постоянное смещение любой полярности;
• ВЧ смещение 13,56 МГц с мощностью генератора до 600 Вт;
• переменное смещение с частотой до 1 МГц и мощностью генератора до 400 Вт.

Особенности конструкции реактора:

• два магнетронных испарителя с диаметром мишеней 76,2 мм (возможно одновременное использование до трёх испарителей, опция );
• мощность источника DC=2 кВт либо RF=0.75 кВт по выбору Заказчика, испаритель оснащен комплектом электроники;
• возможность использования следующих процессных газов: Ar, H2 , O2 , N2 ;
• магнетронные источники располагаются на гибком кронштейне и могут быть сфокусированы в одну точку для обеспечения режима со-осаждения;
• все источники напыления имеют индивидуальные заслонки;

Технические параметры