Описание:

• Обработка до 24 подложек размером 48х60мм за один рабочий цикл;
• Напыление плёнок 3 магнетронами
• 4 тигля с заслонками объёмом 10 см3 для термовакуумного испарения
• Возможность поворота подложек. Скорость вращения подложкодержателя до 10 об/мин
• Подогрев подложек до 250 oC
• Скорость напыление: до 2000Å/мин (Cu, 1,5кВт);
• Однородность толщины напылённых плёнок: < ±5%(при толщине покрытия 200нм);
• 4 линии подачи газа для Ar, O2, N2 (рабочий), N2 (продувка);
• Регулирование расхода газа: <±1
• Вакуум 5х10-7 Торр
• Занимаемая площадь, мм: 2500(Ш)х4000(Г)х1900(В)

Установка SC-1000 обеспечивает реализацию двух методов нанесения – термовакуумный и магнетронный.

Процесс магнетронного напыления позволяет наносить тонкие пленки на различные подложки. Суть процесса состоит в том, что высокоэнергетические ионы плазмы попадая на поверхность мишени выбивают атомы мишени. Ионы, попадая на поверхность мишени, выбивают атомы за счет более высокой кинетической энергии, большей, чем энергия связи атомов поверхности. Установка SC-1000 позволяет проводить процессы магнетронного напыления в автоматическом режиме.

Данное оборудование состоит из двух модулей: рабочая камера и модуль управления.

Модуль управления

Модуль управления включает в себя вакуумметр для проверки внутреннего давления в рабочей камере и монитор криогенных температур. Контроллер для управления толщиной напыления пленок и контроллер для автоматического регулирования давления. Термоконтроллер для управления ламповым нагревателем и контроля за превышением допустимых температур и источник питания переменного тока для термовакуумных установок. Источник питания постоянного тока, генерирующий плазму для процесса напыления, и ВЧ генератор для выполнения плазменной обработки, необходимые для процессов, требующих плазменной среды.

Технические характеристики:

Параметры процесса магнетронного напыления:

• Скорость осаждения Cu для 300 Вт – 125 Å/мин
• Скорость осаждения Ni и Cr для 200 Вт – 45 Å/мин

Используемые газы:

• Ar используется для напыления Cu, Cr, Ni, V и т.д.
• O2 используется для очистки подложек в ВЧ плазме и напыления оксидов VxOx-y (CuxOx-y и т.п.) в совокупности с Ar
• N2 используется для напыления нитридов различных материалов

Параметры процесса термовакуумного напыления:

• Скорость осаждения Cu, V и др. для 70% мощности – 2 Å/с (без вращения подложек), 0.33 Å/с (с вращением подложек)
• Скорость осаждения Ni для 25% мощности – 1,5 Å/с (без вращения подложек), 0.25 Å/с (с вращением подложек)
• На однородность нанесенного материала влияют мощность питания, уровень вакуума в камере и температура подложек (200÷300 °С)

Процессы: для напыления на 4” подложки металлических (Cu, Ni, Cr, V) пленок

Магнетроны: 3 шт, 6 дюймов, для магнетронного распыления

Термоиспарители: 3 шт, для термовакуумного испарения резистивных пленок типа К-50С, РС-5402, РС-3710 из порошка

Размер образцов: подложки 48мм x 60мм (при использовании специальных держателей)

Загрузка: 48 образцов

Мощность источника питания для магнетронов: DC 5кВт

Мощность источника питания для термовакуумных испарителей: AC 3кВт

Загрузка: 48 образцов

Мощность ВЧ: 600 Вт

Габариты: 2,500(Ш) x 2,300(Г) x 1,700(В)